大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华(huá)销售(shòu)的(de)产品未(wèi)通过(guò)网(wǎng)络安全审(shěn)查姝妤怎么念，姝妤字怎么读音是什么ng>

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对(duì)我国(guó)关键信息基础设施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全(quán)。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查(chá)办公(gōng)室依法作出(chū)不(bù)予通过网络安全审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我(wǒ)国(guó)内关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设(shè)施的(de)运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全(quán)审查，目(mù)的是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络(luò)安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民(mín)共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据(jù)市(shì)场(chǎng)咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披(pī)露过美(měi)光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第(dì)三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下(xià)游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内国(guó)产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫(xīn)的(de)上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量(liàng)的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电姝妤怎么念，姝妤字怎么读音是什么子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额(é)提升，以及存储业务(wù)占比(bǐ)较(jiào)高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增长。