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　　大家(jiā)好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国(guó)国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办公室依法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的(de)运营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品进行(xíng)网络安全审查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全(quán)问题(tí)危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家(jiā)安(ān)全(quán)的必要措施(shī)。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网发文(wén)称，为保障关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施供应链安(ān)全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办嘉应学院地址在哪里啊，嘉应学院学校地址(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施(shī)网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不(bù)是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商(嘉应学院地址在哪里啊，嘉应学院学校地址shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在下游(yóu)市场的供应优势(shì)，公司也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美(měi)光(guāng)在中国(guó)区(qū)销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外(wài)三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均(jūn)需要(yào)经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露(lù)，薄膜(mó)沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业(yè)务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增(zēng)长。

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