大家好(hǎo)，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对(duì)美光公(gōng)司(sī)在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通(tōng)过(guò)网络安全审查(chá)的结(jié)论。按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内关键信(xìn)息(xī)基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光(guāng)公司产(chǎ2升是多少斤啊 2升是多少毫升n)品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是(shì)防范产品网络(luò)安全问题危害国(guó)家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国家安全的(de)必(bì)要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平(píng)台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险(xiǎn)，维护(hù)国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共(gòng)和(hé)国网络2升是多少斤啊 2升是多少毫升安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙(lóng)已经在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星、美光、西部(bù)数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的(de)供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致下游客(kè)户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最大量的(de)加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产(chǎn)化(huà)进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司(sī)份额提升(shēng)，以及(jí)存(cún)储业务(wù)占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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