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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安(ān)全(quán)审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美光(g脱离了低级趣味那句原话怎么说的纪念白求恩，低级趣味是什么意思uāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链造成重大安全(quán)风(fēng)险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全(quán)审查，目的(de)是(shì)防范(fàn)产品网络(lu脱离了低级趣味那句原话怎么说的纪念白求恩，低级趣味是什么意思ò)安全问题危害国(gu脱离了低级趣味那句原话怎么说的纪念白求恩，低级趣味是什么意思ó)家关键信(xìn)息基础设(shè)施安全，是维(wéi)护国家安全(quán)的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国(guó)法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安(ān)全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护国家安(ān)全，依(yī)据《中华人民共和(hé)国国(guó)家安(ān)全(quán)法》《中华人民(mín)共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等(děng)公司披露过美光等国际(jì)存(cún)储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司(sī)也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果美光(guāng)在(zài)中(zhōng)国区(qū)销(xiāo)售受(shòu)到(dào)限制(zhì)，或将导致下(xià)游客户(hù)转而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器(qì)的生(shēng)产已(yǐ)经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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