大家好，来看一则(zé)突发(fā)消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公司(sī)在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较(jiào)严(yán)重网络安(ān)全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全(quán)审查，目的(de)是防范产(chǎn)品(pǐn)网络(luò)安全(quán)问(wèn)题(tí)危害国家关键信息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国(guó)家(jiā)安(ān)全的必要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造(zào)成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全(quán)，依(yī)据(jù)《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也(yě)是(shì)全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际(jì)存(cún)储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存(cún)储产(chǎn)业链上下(xià)游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在(zài)下游(yóu)市场(chǎngm开头的姓氏都有哪些，m开头的姓氏中文名)的(de)供应优(yōu)势(shì)，公司也与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中(zhōng)国区(qū)销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的(de)生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过(guò)薄膜(mó)沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前(qián)前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，m开头的姓氏都有哪些，m开头的姓氏中文名未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加(jiā)入(rù)美国限制名单(dān)，设备国产化(huà)进(jìn)程(chéng)加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等(děng)相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存(cún)储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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