大家(jiā)好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络安全审查<fio2吸氧浓度计算公式中的4是什么意思，氧合指数的计算公式t: 24px;'>fio2吸氧浓度计算公式中的4是什么意思，氧合指数的计算公式/p>

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)对美光公司(sī)在华(huá)销售产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品存在较严重网络安(ān)全(quán)问题(tí)隐患(huàn)，对(duì)我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大(dà)安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设施的(de)运营者(zhě)应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息基(jī)础设施安全，是维护(hù)国家安全的必要措(cuò)施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链安(ān)全，防范(fàn)产品(pǐn)问题(tí)隐患(huàn)造成(chéng)网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国(guó)家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国(guó)网络安(ān)全法》，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室(shì)按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列(liè)江波(bō)龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产业(yè)链上(shàng)下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区销售受到(dào)限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或(huò)从中受益(yì)。存(cún)储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来(lái)可能会(huì)更深的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备(bèi)及(jí)刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国限(xiàn)制名(míng)单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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