大家(jiā)好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全问云n是哪里的车牌号题(tí)隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安(ān)全风(fēng)险，影响我国(guó)国(guó)家安全(quán)。为(wèi)此(cǐ)，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室(shì)依(yī)法(fǎ)作出不予通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)的结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的(de)运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美(měi)光公司产品进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国(guó)家(jiā)关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进(jìn)高水(shuǐ)平(píng)对(duì)外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华人(rén云n是哪里的车牌号)民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查(chá)办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gō云n是哪里的车牌号ng)告(gào)显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和第(dì)三大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在(zài)存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的(de)稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市(shì)场的供应优势，公司(sī)也与国内国(guó)产(chǎn)存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备(bèi)厂或从(cóng)中受(shòu)益。存(cún)储器的生(shēng)产已经(jīng)演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过(guò)薄膜(mó)沉(chén)积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资(zī)本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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