大家好，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公司在华销售(shòu)的(de)产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法对美(měi)光(guāng)公司在华销售产品进行(xíng)了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法(fǎ)作出不(bù)予通(tōng)过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的(de)运营者(zhě)应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问(wèn)题危害(hài)国(guó)家关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施(shī)安全，是维护(hù)国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平对(duì)外(wài)开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平(píng)台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络安全(quán)风险(xiǎn)，维(wéi)护国(guó)家安(ān)全，依(yī)据《中华人(rén)民共和(hé)国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室(shì)按照(zhào)《网络(luò)安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片行(xíng)业龙(lóng)头，也(yě)是全(quán)球(qiú)存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市于令仪不责盗文言文翻译注释，于令仪不责盗古文翻译公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势(shì)，公(gōng)司也与(yǔ)国(guó)内国产存(cún)储晶圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客(kè)户转(zhuǎn)而采购(gòu)国(guó)外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会(huì)更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额(于令仪不责盗文言文翻译注释，于令仪不责盗古文翻译é)提升，以及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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