大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销售的产品未通过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法对(duì)美光公司(sī)在(zài)华(huá)销售产(chǎn)品进行了(le)网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存(cún)在较严(yán)重网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链造成重大(dà)安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办(bàn)公室(shì)依(yī)法作出不(bù)予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产品进(jìn)行网络(luò)安全审查，目的(d陈奕迅《是但求其爱》歌词是什么，陈奕迅《是但求其爱》歌词是什么歌e)是(shì)防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危(wēi)害国(guó)家关键信息基(jī)础设(shè)施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全(quán)的必要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链(liàn)安(ān)全(quán)，防范产(chǎn)品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐患造成(chéng)网络安全(quán)风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

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　　美光是美(měi)国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下(xià)游建立(lì)国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就(jiù)分(fēn)析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对陈奕迅《是但求其爱》歌词是什么，陈奕迅《是但求其爱》歌词是什么歌(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的(de)生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜(mó)沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目(mù)前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披(pī)露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入(rù)美国限制名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉(chén)积(jī)）等(děng)相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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