大(dà)家好，来看一(yī)则(zé)突发消息(xī)。

　　美光公司(sī)在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室(shì)依(yī)法对美光(guāng)公司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产品存在(zài)较严重网络(luò)安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施供应链造(zào)成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出(chū)不予通过网络安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的(de)运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家关(guān)键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对(duì)外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场。

　　bjd娃娃是用什么做的 bjd娃娃可以一起睡吗g alt="半导体突发！中国出手(shǒu)：停止采(cǎi)购！" src="http://getimg.jrj.com.cn/images/2023/05/weixin/one_20230521204212185.png">

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国(guó)家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储bjd娃娃是用什么做的 bjd娃娃可以一起睡吗芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收(shōu)入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链(liàn)上下游(yóu)建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署(shǔ)了(le)长期合(hé)约，确(què)保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长(bjd娃娃是用什么做的 bjd娃娃可以一起睡吗zhǎng)江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持(chí)良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下(xià)游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更深的(de)孔或(huò)者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美(měi)国限制名单，设(shè)备国产化(huà)进(jìn)程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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