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　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重(zhòng)大6千克等于多少斤 6千克是多少磅安全(quán)风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络安(ān)全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全(quán)问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安全(quán)，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)造(zào)成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国(guó)国(guó)家安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入(rù)来(lái)自(zì)中(zhōng)国(guó)市(shì)场(chǎng)收(shōu)入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂(chǎng)商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游建立(lì)国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签(qiān)署(shǔ)了(le)长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公(gōng)司在(zài)下游市(shì)场的(de)供(gōng)应优势，公司也(yě)与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到(dào)限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国外6千克等于多少斤 6千克是多少磅三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器的(de)生(shēng)产(chǎn)已经(jīng)演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求(qiú)。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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