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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司(sī)在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不(bù)予通过网络(luò)安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)的运营者应停止采购(gòu)美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的(de)是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国(guó)家(jiā)关(guān)键信息基(jī)础设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3上技校要多少钱学费，在技校上学一般要花多少学费月31日，中(zhōng)国网信网发文(wén)称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络(luò)安(ān)全(quán)风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国(guó)国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网(wǎng)络安全法》，网络安(ān)全审查(chá)办公室(shì)按照《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供(gōng)应商(shāng)。

　　美(měi)光在江(jiāng)波(bō)龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一(yī)大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和第(dì)三大供应商采购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长期合上技校要多少钱学费，在技校上学一般要花多少学费约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储器的(de)生(shēng)产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制(zhì)名单(dān)，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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