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　　美(měi)光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司(sī)产品存在较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法作出不(bù)予通过网络安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设施的(de)运营者应(yīng)停止采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查，目(mù)的是防(fáng)范产品网络安全问题(tí)危害国(guó)家关(guān)键信息基础设(shè)施安全，是维(wéi)护国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢(huān娱乐圈里的万人睡女星，娱乐圈睡得最多的女星)迎各国企业、各类平台(tái)产品服务(wù)进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国(guó)家安(ān)全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国(guó)网络安全法》，网络安(ān)全审(shěn)查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的(de)存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAN娱乐圈里的万人睡女星，娱乐圈睡得最多的女星D Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额(é)占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在(zài)中(zhōng)国(guó)区销(xiāo)售受到(dào)限制(zhì)，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国(guó)限制(zhì)名(míng)单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存(cún)储业务(wù)占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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