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　　美光公(gōng)司在(zài)华销售(shòu)的(de)产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法对美(měi)光公司在(zài)华销售产品进行(xíng)了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查(chá)的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息(xī)基础设施的(de)运营者(zhě)应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品小卖部一天卖1000利润多少，一个小卖部一天卖1000能赚多少进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平(píng)台(tái)产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人(rén)民共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查(chá)办公室按(àn)照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的(de)存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过(guò)美光等国际存(cún)储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不(bù)是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大(dà)存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大(dà)、第二大(dà)和第三(sān)大(dà)供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了(le)长(zhǎng)期合(hé)约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势(shì)，公司也与国内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更深(shēn)的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公司份(fèn)额(é)提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较高的(de)华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入(rù)增长。

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