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　　美(měi)光公(gōng)司在华销售(shòu)的(de)产品未通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了(le)网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)存在(zài)较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安(ān)全(quán)审查的结论。按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息基(jī)础设施的运营(yíng)者(zhě)应(yīng)停止采(cǎi)购美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全问题危(wēi)害国家关键信息基(jī)础设施安全(quán)，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文(wén)称，为保障关(guān)键信息基础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造成网络安全(quán)风(fēng)险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查办公室按(àn)照《网络安全(quán)审(shěn)查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际(jì)存储厂都没戴口罩2米安全吗，不戴口罩2米的距离安全吗商(sh都没戴口罩2米安全吗，不戴口罩2米的距离安全吗āng)为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存(cún)储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国内(nèi)外(wài)广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公司也与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购(gòu)国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备国(guó)产化进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务(wù)占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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