大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华(huá)销(xiāo)售的产品未(wèi)通过(guò)网络安全(quán)审(shěn)查头发剪了后悔了大概多久能长回来，3天头发长10厘米秘诀rong>

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严(yán)重网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链造(zào)成重大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家(jiā)安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ头发剪了后悔了大概多久能长回来，3天头发长10厘米秘诀)次对美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)进行网络安全审查，目的(de)是防范产品网络(luò)安全问题(tí)危害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国(guó)家(jiā)安全的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)安(ān)全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维护国家(jiā)安全(quán)，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江(jiāng)波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链上下(xià)游建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应(yīng)优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就(jiù)分(fēn)析，如(rú)果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器(qì)的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美(měi)国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额提(tí)升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。