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　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品存在(zài)较严(yán)重网络安全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险毕业2年之内都算应届吗，21年毕业生23年算应届吗(xiǎn)，影响我国(guó)国家(jiā)安(ān)全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)的运(yùn)营者应(yīng)停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全(quán)审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安(ān)全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息基(jī)础设施(shī)安全，是(shì)维护(hù)国家安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高水平对(duì)外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基础设(shè)施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国(guó)国(guó)家安全(quán)法》《中华(huá)人民共(gòng)和(hé)国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全(quán)审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光(guāng)是美国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国(guó)市场收入从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期(qī)合约(yuē)，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司(sī)在(zài)下游(yóu)市(shì)场的供应(yīng)优势(shì)，公司也(yě)与(yǔ)国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成(chéng)为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国(guó)限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额(é)提升(shēng)，以及(jí)存储业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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