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　　美光公司在华销售的(de)产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公(gōng)司在华销售(shòu)产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安(ān)全(quán)问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大安(ān)全(quán)风(fēng)险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的(de)结论。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国(guó)内关键信息(xī)基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络(luò)安全审(shěn)查，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安(ān)全问(wèn)题危害(hài)国家关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民(mín)共和(hé)国(guó)国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光(guāng)公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市(shì)场收(shōu)入(rù)从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露(lù)过(guò)美(měi)光等国(guó)际存储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙(lóng)已(yǐ)经(jīng)在(zài)存储产业(yè)链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产翡翠手镯用紫光照为什么会有荧光，翡翠镯子太阳光下有紫色荧光存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户(hù)转而采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存(cún)储(chǔ)、长鑫(xīn)存(cún)储等(děng)竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国(guó)限(xiàn)制(zhì)名(míng)单，设备(bèi)国产化(huà)进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额(é)提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比(bǐ)较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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