大家好，来看一则突(tū)发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在(zài)较严(yán)重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关键信息(xī)基础设施供(gōng)应(yīng)链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全(quán)审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进行网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网络安(ān)全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是(shì)维护国家安(ān)全(quán)的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网(wǎng)发文(wén)称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室按照(zhào)《网络安全(quán)审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披露(lù)过美光等国际(jì)存储厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是1兆等于多少mb流量，1G等于多少MB(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下(xià)游市场的(de)供应优势(shì)，公司也(yě)与国(guó)内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前(qián)就分析(xī)，如果美(m1兆等于多少mb流量，1G等于多少MBěi)光(guāng)在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客(kè)户(hù)转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的(de)加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设(shè)备(bèi)国(guó)产化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及(jí)存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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