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三生有幸遇见你下一句怎么接,三生有幸遇见你下一句幽默

三生有幸遇见你下一句怎么接,三生有幸遇见你下一句幽默 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一则突发消息。

  美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销售的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全审查

  据网信办(bàn)消息,日前,网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室(shì)依法对(duì)美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销售(shòu)产品进行了(le)网络安全审查。

  审查发现,美光公司产品存在较严重网络(luò)安全问题(tí)隐患,对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风(fēng)险,影响我国国家安全。为此,网络安全(quán)审查办公室依法作(zuò)出(chū)不予通(tōng)过网络安全(quán)审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法(fǎ)规,我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

  此(cǐ)次(cì)对(duì)美光公司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审查,目的是防(fáng)范产品网络(luò)安全(quán)问题危(wēi)害国(guó)家关键信息(xī)基础设(shè)施安全,是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外(wài)开放,只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法(fǎ)规要求,欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平(píng)台(tái)产品服务进入中国市场。

  半导体突发!中国出(chū)手:停止采购!

  3月31日,中国网信(xìn)网发文(wén)称(chēng),为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链(liàn)安全(quán),防(fáng)范(fàn)产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络(luò)安全(quán)风险,维护国家安全,依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络三生有幸遇见你下一句怎么接,三生有幸遇见你下一句幽默安全法》,网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办(bàn)法》,对美(měi)光(guāng)公司(Micron)在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全(quán)审查。

  半导体突发!中(zhōng)国出手:停(tíng)止采购(gòu)!

  美光(guāng)是美国的存储芯片(piàn)行业龙头,也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之一,2022年收入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57%降至2022年约11%。根(gēn)据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额约为 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份(fèn)额(é)约为 94.35%。

  A股上市公(gōng)司中,江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国(guó)际(jì)存储厂商为公司(sī)供应商。

  美光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降,至少已经不是主要大供应商(shāng)。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商,采购约(yuē)31亿(yì)元,占比33.52%;2022年,江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是(shì)26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示(shì),江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等(děng)主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约,确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性,巩固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优势,公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

  有券商此前就分析,如果三生有幸遇见你下一句怎么接,三生有幸遇见你下一句幽默美光(guāng)在中国(guó)区销售受到限制(zhì),或(huò)将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国(guó)外(wài)三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士(shì),国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

  分析(xī)称,长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂或(huò)从中受(shòu)益(yì)。存储器的(de)生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài),2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤,同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到(dào) 60:1的深孔,未来可能(néng)会更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo),催(cuī)生更(gèng)多(duō)设(shè)备需求。据东京电子(zi)披露,薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为75%。自长江存储被加入美国(guó)限制(zhì)名(míng)单,设备(bèi)国产化进(jìn)程加速,看好拓荆科技(jì)(薄膜沉积(jī))等(děng)相关公司(sī)份额提升,以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华海清(qīng)科(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗)等收入增(zēng)长。

 

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