大家好，来看(kàn)一(yī)则突发消息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施(shī)的(de)运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全审查(chá)，目(mù)的是防范产品网络安全问题危(wēi)害国家(jiā)关键信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国(guó)家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高(gāo)水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入(rù)中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为(wèi)保障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题(tí)隐患造成网络(luò)安(ān)全(花竹帽是哪个民族的 花竹帽是广西毛南族仅有的吗quán)风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第(dì)三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示(shì)，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存(cún)储晶圆(yuán)原(yuán)厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在下(xià)游市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美(měi)光在(zài)中国(guó)区销售受到限制，或(huò)将导致下游客(kè)户(hù)转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

未经允许不得转载：绿茶通用站群 花竹帽是哪个民族的 花竹帽是广西毛南族仅有的吗