大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不(bù)予通过网络(luò)安全审查的结论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)，我(wǒ)国内关(guān)键信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审(shěn)查(chá)，目(mù)的是防(fáng)范(fàn)产(c三公分是多少厘米 三公分是多少毫米hǎn)品网络安全(quán)问题(tí)危害(hài)国(guó)家关(guān)键信息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国家安(ān)全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造(zào)成(chéng)网络(luò)安(ān)全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中华人(rén)民共和国网络安全(quán)法》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国(guó)际(jì)存储厂三公分是多少厘米 三公分是多少毫米商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示(shì)， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第(dì)一(yī)大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上(shàng)下(xià)游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应优(yōu)势(shì)，公(gōng)司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、合肥(féi)长鑫(xīn)保持(chí)良好的(de)合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽(cá三公分是多少厘米 三公分是多少毫米o)，催(cuī)生更(gèng)多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额(é)提升，以及存储业务(wù)占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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