再大的胸躺下都是平的，胸明明很大但为什么一躺下就平了

　　大家好，来(lái)看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美光公司(sī)在(zài)华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法对美(měi)光公司在华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设(shè)施供应链(liàn)造成(chéng)重大安全风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结(jié)论(lùn)。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者(zhě)应停止采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安(ān)全(quán)问题危害国家关键信息基(jī)础设施安全，是维护国家(jiā)安全的(de)必要措施(shī)。中国(guó)坚定推进高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维护国(guó)家安(ān)全，依(yī)据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查(chá)办公室(shì)按照《网络安全(quán)审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存(cún)储芯片(piàn)行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上再大的胸躺下都是平的，胸明明很大但为什么一躺下就平了市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一(yī)大存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大(dà)和第三(sān)大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内国(guó)产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持(chí)良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如(rú)果美(měi)光(guāng)在中国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的(de)结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄(báo)膜(mó)成(chéng)为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄(báo)膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国(guó)限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

未经允许不得转载：绿茶通用站群 再大的胸躺下都是平的，胸明明很大但为什么一躺下就平了