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　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在(zài)较严重(zhòng)网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，homework可数还是不可数名词，homework可数吗？housework 呢ng>我国内关键信(xìn)息基础设(shè)施的(de)运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对(duì)美(měi)光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产(chǎn)品网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题(tí)危害(hài)国(guó)家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维护国家安(ān)全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎(yíng)各(gè)国企业、各类平台(tái)产品服(fú)务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施(shī)供应(yīng)链安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国(guó)家(jiā)安全，依据《中华(huá)人民共和国(guó)国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全审查办公(gōng)室按(àn)照(zhào)《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 homework可数还是不可数名词，homework可数吗？housework 呢SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过美光(guāng)等国际(jì)存储厂商为(wèi)公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和(hé)第(dì)三大供应商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游(yóu)建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致下(xià)游(yóu)客户转而(ér)采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额提升，以及(jí)存储业务(wù)占比(bǐ)较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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